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2026

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白光干涉划线轮廓测量，抑制钙钛矿电池漏电、降低串联电阻

1 钙钛矿电池划线轮廓质量对漏电与串联电阻的影响钙钛矿电池模组制备核心工序中，激光划线刻蚀是实现电池单元精准分割、层间电路串联互联的关键工艺，划线沟槽的轮廓规整度...

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2026

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05

CMP抛光前后，晶圆表面粗糙度白光干涉测量方案

1 引言化学机械抛光（CMP）是半导体晶圆制程中核心平坦化工艺，抛光前后晶圆表面微观粗糙度直接影响后续光刻、镀膜等工序良率，是管控制程精度的关键指标。传统接触式测...

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2026

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05

Smr/Smr1/Smr2 支承长度率解读，白光干涉仪粗糙度...

引言在精密机械配合、液压密封结构、齿轮传动及耐磨零部件加工领域，工件表面不仅需要控制基础高低起伏粗糙度，更需精准把控微观表面实体接触承载能力。传统高度类粗糙度参数...

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2026

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05

白光干涉仪，晶圆级封装/Bump键合3D轮廓测量

摘要随着晶圆级扇出封装、TSV互连及精密Bump键合工艺高速开展，芯片封装朝着微型化、高密度、高精度集成方向快速升级。晶圆级Bump键合作为芯片互连的核心工序，凸...

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